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    1. 公司新聞
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      EDI典型工藝技術(shù)流程圖

      發(fā)布日期:2011-4-8 閱覽數(shù):2542次

      EDI技術(shù)的成功應(yīng)用,需要同時解決EDI應(yīng)用的二大核心問題:
      (1)EDI系統(tǒng)的運行穩(wěn)定性    (2)EDI系統(tǒng)的投資合理性。
      由于原水水源、EDI產(chǎn)水要求、初期投資、運行維護投資等多方面的約束和影響,因此,并沒有放之四海皆準(zhǔn)的EDI工藝系統(tǒng)存在,必須結(jié)合終端用戶工程系統(tǒng)的實際情況進行綜合分析后,才能夠確定經(jīng)濟合理的工藝路線。
      EDI在一定的原水進水條件下,采用一級反滲透技術(shù)完全可以滿足EDI的運行,重點推薦系統(tǒng)工藝: 超濾+一級反滲透+膜脫氣+EDI
      關(guān)鍵詞:EDI、運行穩(wěn)定性、投資合理性、一級反滲透、膜脫氣


      1.0 概述

      EDI技術(shù)從20世紀(jì)70年代開始發(fā)展,EDI產(chǎn)品和技術(shù)在中國最早的應(yīng)用是20世紀(jì)80年代初期,在20世紀(jì)90年代末期,在中國才開始真正推廣EDI技術(shù),因此,EDI技術(shù)在中國的真正發(fā)展和規(guī)模性的應(yīng)用,不到10年時間,最早應(yīng)用在電子和半導(dǎo)體行業(yè),在中國電力行業(yè)的推廣和應(yīng)用,要晚于電子和半導(dǎo)體行業(yè)。

      EDI在中國的應(yīng)用,經(jīng)歷了巨大的曲折發(fā)展之路,無論是模塊的發(fā)展還是工藝技術(shù)的發(fā)展,失敗的教訓(xùn)和成功的經(jīng)驗都為EDI的后續(xù)發(fā)展作出了巨大的貢獻。

      總體而言,EDI技術(shù)的應(yīng)用是成功的,但是,為了成功的應(yīng)用EDI技術(shù),現(xiàn)在大部分的EDI整體工藝系統(tǒng),無論原水水質(zhì)的好壞,為了一味的追求所謂的穩(wěn)定性,現(xiàn)在大部分設(shè)計的工藝系統(tǒng)均為二級反滲透+EDI的工藝技術(shù),投資方為此付出了巨額的設(shè)備和工程投資,以及系統(tǒng)后續(xù)運行的巨大能源消耗。

      先進的技術(shù)和優(yōu)秀的產(chǎn)品,如果是靠巨額的投資和高額的能源消耗來保證其運行,那么,這種產(chǎn)品和技術(shù)一定缺少推廣和應(yīng)用的價值。真正的EDI應(yīng)用技術(shù),應(yīng)該是從技術(shù)和經(jīng)濟性進行分析,并非一味片面而單一的追求EDI運行的過度穩(wěn)定性,那樣會造成投資的無意義性浪費,增加投資者的無用性成本投資。

      因此,EDI技術(shù)的應(yīng)用,需要同時解決EDI應(yīng)用的二大核心問題:
      (1)EDI系統(tǒng)的運行穩(wěn)定性  
      (2)EDI系統(tǒng)的投資合理性

      2.0 水源和水質(zhì)分析

      2.1  原水水質(zhì)差異

          中國的地域廣闊,自然界的水系非常復(fù)雜,主要體現(xiàn)在:
          (1) 南北水系有差異:                  (4) 苦咸水、海水、亞海水水系
          (2) 地表和地下水系有差異              (5) 江、河、湖、庫、溪等水系
          (3) 同一個地區(qū)的水系也有差異          (6) 污水的回用、循環(huán)水排污水系統(tǒng)
          各種水系的差異是巨大的,有的地表水系原水電導(dǎo)率在50~100μS/cm,有的地表水系
      原水電導(dǎo)率在400~800μS/cm,有的地下水系原水電導(dǎo)率在300~800μS/cm,有的地下水系原水電導(dǎo)率在2000~3000μS/cm,有的海水倒灌水系原水含鹽量在5000~15000mg/l等等。同時,由于原水中其它離子或參數(shù)表現(xiàn)也有所不同,如:碳酸鹽堿度、硬度、硅、PH值等的差異性,因此,必須對原水的各種特性表現(xiàn)進行詳細(xì)分析,為確定整體工藝路線尋找到完整的設(shè)計依據(jù)。

      2.2  產(chǎn)水水質(zhì)差異

           工業(yè)行業(yè)眾多,生產(chǎn)工藝的差異巨大,對于用水水質(zhì)的需求千差萬別,如:
          a.電廠鍋爐補給水:由于鍋爐壓力的不同,其控制硅的指標(biāo)也有巨大差異,有的要求小于100μg/L,有的要求小于50μg/L,有的要求小于20μg/L,有的要求小于10μg/L;
          b.電子半導(dǎo)體行業(yè):由于電子產(chǎn)品和單晶硅的產(chǎn)品不同,水的等級要求也是不同的,有的要求小于500μg/L,有的要求小于100μg/L,有的要求小于20μg/L,有的要求小于10μg/L,有的要求小于5μg/L,有的要求小于1μg/L;
      2.3  EDI的進水條件
               以美國Electropure EDI為例,進水水質(zhì)主要有離子負(fù)荷類和結(jié)后污染類兩大類指標(biāo),具體如下:
      離子負(fù)荷類指標(biāo)
            PH 值: 5.0 to 9.5 (pH 7.0 至 8.0之間EDI有最佳電阻率性能,但硬度要低于常規(guī)值),注意到典型的低PH值進水時由于CO2的存在而導(dǎo)致產(chǎn)水質(zhì)量下降;
            電導(dǎo)率:1-20 μS/cm。最佳電導(dǎo)率在2-10 μS/cm。最大電導(dǎo)率50μS/cm;
            總CO2:建議小于5 ppm,高于10 ppm時,產(chǎn)水品質(zhì)很大程度上依賴于CO2水平和PH值;                     
            硅    :最大0.5 ppm.  反滲透RO產(chǎn)水典型范圍是50-150 ppb。
      結(jié)垢污染類指標(biāo)
            硬度(以CaCO3計):最大1.0 ppm,在90%回收率時;
            金  屬:最大0.01 ppm Fe、Mn、變價性金屬離子;
            有機物:TOC 最大0.5 ppm,建議檢測不出;
            顆  粒:建議用無顆粒的反滲透RO產(chǎn)水(直接進入)或者將中間水箱的水采用1μm預(yù)先過濾,建議控制SDI值在1以下;
            氧化劑:活性氯(Cl2)最大 0.05 ppm,建議檢測不出;臭氧(O3)最大0.02 ppm,建議檢測不出。
      進水條件特別說明:
      (1) 各類水質(zhì)指標(biāo)不能獨立分析,指標(biāo)之間有很強勢的邏輯關(guān)系和相互制約的關(guān)系,需要綜合分析各類指標(biāo)存在的條件,選擇穩(wěn)定和經(jīng)濟性的工藝手段解決EDI的進水負(fù)荷。
      (2) 對于進水離子負(fù)荷,EDI性能表現(xiàn)最敏感也是最脆弱的指標(biāo)是CO2,在離子負(fù)荷領(lǐng)域,其表現(xiàn)是弱電解質(zhì),主要是二個表現(xiàn):
      a .CO2轉(zhuǎn)變成HCO3-并非瞬間完成,需要緩慢轉(zhuǎn)變;
      b .即使CO2完全轉(zhuǎn)變成HCO3-,HCO3-離子從淡水室遷移至濃水室的速度也是非常緩慢,不像K+、Na+離子那樣能夠快速遷移至濃水室,因此,CO2的濃度大小將會對EDI的整體性能產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。  

      3.0 EDI工藝技術(shù)分析

      3.1 EDI工藝系統(tǒng)設(shè)計的核心準(zhǔn)則

         a .EDI系統(tǒng)的運行穩(wěn)定性:
      降低總離子負(fù)荷、減少結(jié)垢和污染因子從EDI的進水條件進行分析,滿足EDI的進水條件,減少弱電解質(zhì)和結(jié)垢污染類物質(zhì)的影響,采用經(jīng)濟合理的工藝手段去除EDI的進水負(fù)荷,尤其是盡力弱電解質(zhì)負(fù)荷,對于實現(xiàn)EDI的穩(wěn)定運行將產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。
         b .EDI系統(tǒng)的投資合理性:
      優(yōu)化前處理整體工藝流程優(yōu)化前處理整體工藝流程,每種特定的工藝總是有其應(yīng)用的條件和優(yōu)勢,但是,也有其應(yīng)用的局限性,優(yōu)秀系統(tǒng)工藝的形成是多個優(yōu)勢單體工藝的有機組合;
      根據(jù)原水水質(zhì)、產(chǎn)水要求,合理設(shè)計完整的EDI水處理工藝,充分進行工藝的優(yōu)化,對所選擇的工藝技術(shù)進行分析,必須首先滿足實現(xiàn)EDI運行的穩(wěn)定性,同時,對于所選擇的工藝技術(shù)進行經(jīng)濟分析,在滿足EDI系統(tǒng)穩(wěn)定運行的前提下,實現(xiàn)整體工程投資的合理化;
      EDI 工藝系統(tǒng)的選擇,是關(guān)系到EDI 能否安全、穩(wěn)定運行的關(guān)鍵,但是,由于原水水源、產(chǎn)水要求、初期投資、運行維護投資等多方面的約束和影響,因此,并沒有放之四海皆準(zhǔn)的工藝系統(tǒng)存在,必須結(jié)合終端用戶工程系統(tǒng)的實際情況進行綜合分析后,才能夠確定經(jīng)濟合理的工藝路線。

      3.3 常規(guī)EDI設(shè)計理念

      常規(guī)設(shè)計理念的劣勢:
      對于進水的離子負(fù)荷和結(jié)垢的理解以及處理方式,在很多情況下都是正向思維方式,
      例如:硬度問題,當(dāng)發(fā)現(xiàn)RO的產(chǎn)水硬度高于EDI進水條件時,首先想到的是采取軟化工藝
      或二級RO技術(shù)來將硬度去除。但是,對于EDI進水硬度的條件限定,是有相關(guān)聯(lián)的水質(zhì)條件的,主要的條件是EDI的回收率和進水的CO2濃度水平,當(dāng)EDI回收率為90%時,硬度和堿度在EDI濃水室的濃縮倍率為10~11倍,但是當(dāng)EDI回收率為95%時,硬度和堿度在EDI濃水室的濃縮倍率為20倍以上,而當(dāng)EDI回收率為85%時,硬度和堿度在EDI濃水室的濃縮倍率為6.67倍左右,同樣的硬度條件,在不同的回收率情況下,在EDI濃水室形成CaCO3結(jié)垢的趨勢將會完全不同。很顯然,在高回收率和高的進水的CO2濃度水平條件下,進水的硬度必須很低才能保證EDI的濃水室不產(chǎn)生CaCO3結(jié)垢,相反,如果高回收率和非常低的進水的CO2濃度水平條件,人為的去除或減少CaCO3結(jié)垢的因子,則可以保證EDI濃水室在一定的硬度范圍內(nèi)不會形成CaCO3結(jié)垢。
       

      3.3.1 軟化工藝      
      1) 無法優(yōu)化EDI性能:軟化技術(shù),只能解決鈣鎂結(jié)垢的因素,但是,由于鈣離子和鈉離子是等當(dāng)量交換,EDI進水的總離子當(dāng)量負(fù)荷并沒有任何改變,相反,離子濃度負(fù)荷是增加了,故對于EDI本身的性能并沒有改善,相反,有惡化的趨勢。
       

      3.3.2 二級RO工藝
      1)缺乏投資價值:二級RO技術(shù),設(shè)備一次性投資巨大,缺乏投資的經(jīng)濟價值。根據(jù)數(shù)據(jù)分析顯示,二級RO+EDI的工藝配置和一級RO+混床的工藝配置相比,投資的差額回收期為15~20年,也即:原則上,從經(jīng)濟的角度分析,二級RO+EDI的工程投資是無法回收的;
           2)高電能消耗:二級RO技術(shù),由于RO高壓的存在和第一級RO產(chǎn)水容量的放大,
      其整體運行的電能消耗巨大;
      3)二氧化碳負(fù)荷波動:二級RO技術(shù),其解決二氧化碳并不徹底,帶來EDI進水二氧化碳負(fù)荷的可變性,尤其是在有二級RO濃縮水回流時,使一級RO進水的HCO3-產(chǎn)生較大波動,在原水的HCO3-較高條件下,波動性更大,從而,導(dǎo)致EDI性能不穩(wěn)定。
       

      3.3. 3鼓風(fēng)脫氣工藝
      1)殘留二氧化碳:鼓風(fēng)脫氣技術(shù),能夠解決一部分二氧化碳問題,但是還有5ppm左右的二氧化碳?xì)埩粼谒袩o法去除,使EDI的運行條件無法得到優(yōu)化;
      2)二氧化碳負(fù)荷波動:鼓風(fēng)脫氣不但有殘留CO2的問題,而且,隨著水溫的變化,殘留的CO2濃度也會產(chǎn)生波動,尤其在冬季,會使殘余的CO2濃度上升很多,將會嚴(yán)重影響EDI的運行穩(wěn)定性和產(chǎn)水品質(zhì);
            3)水的二次污染:同時,空氣與水接觸, 會帶來水的二次污染問題。


      3.4 膜脫氣設(shè)計理念

      3.4.1 膜脫氣工藝技術(shù)優(yōu)勢
           1,減少CO2負(fù)荷:控制EDI進水的二氧化碳絕對值,使其小于2ppm或1ppm或0.5ppm,
      大大減少了二氧化碳的負(fù)荷,降低了進水的TEA,提高EDI的除硅性能;
           2,降低PH負(fù)荷:一級RO產(chǎn)水通常偏酸性(PH=5~6.5),因此,產(chǎn)水中的HCO3-絕大部分會以游離CO2的形式存在,為膜脫氣去除CO2創(chuàng)造了非常有利的條件,去除二氧化碳后可以提高EDI的進水PH值,降低其PH值H+負(fù)荷,改善EDI工作性能;
           3,降低總離子負(fù)荷:對于EDI的四大類離子負(fù)荷,PH和HCO3-有很大的改善,從而,有效地降低EDI的進水總離子負(fù)荷,尤其是弱電解質(zhì)負(fù)荷HCO3-,可以有效地提高EDI除硅性能;
           4,減少硬度結(jié)垢:大大減少EDI濃水室碳酸鹽結(jié)垢的趨勢,延長模塊的清洗周期和使用壽命;
           5,放寬硬度限制:由于二氧化碳量大大減少了,硬度結(jié)垢的趨勢大大減弱了,因此,可以適當(dāng)放寬EDI進水硬度的條件,即使在進水硬度2ppm或5ppm或更高,EDI濃水室也不會結(jié)垢,取決于二氧化碳的去除水平,去除二氧化碳越徹底,允許的進水硬度越高;
           6,減少鐵污染:由于脫氣膜可以去除大部分溶解氧,因此大大減少鐵的氧化物的形成,從而減少EDI膜和樹脂的鐵污染;
           7,減少微生物污染:去除溶解氧后,可以抑制細(xì)菌的生長,減少微生物污染,減少化學(xué)清洗和延長模塊壽命;
              8,去除揮發(fā)性TOC:脫氣膜可以去除水中的揮發(fā)性TOC,降低后續(xù)工藝進水的TOC負(fù)荷。
      3.4.2 膜脫氣工藝整體優(yōu)勢:一級RO+膜脫氣+EDI
      整體優(yōu)勢:
            1)解決負(fù)荷和結(jié)垢問題:采用膜脫氣技術(shù)同時解決了離子負(fù)荷和硬度結(jié)垢的問題;
            2)放寬進水條件:同等條件下,擴大了TDS的進水條件和硬度的進水條件;
            3)優(yōu)化除硅能力:同樣進水負(fù)荷條件下,整體優(yōu)化了EDI的除硅能力;
            4)提高運行穩(wěn)定性:弱性離子HCO3-的減少,可以大大提高EDI性能的穩(wěn)定性;
            5)延長EDI使用壽命:大大減少了EDI的污染,從而減少清洗維護的頻率,延長EDI模塊壽命;
            6)減少初期工程投資:大大減少了反滲透技術(shù)和整體工程的初期投資,該工藝的整體投資比采用二級RO技術(shù)的投資要節(jié)省30% 左右,主要特點是:設(shè)備投資省、輔助設(shè)備少、占地少;
            7)節(jié)約電能消耗:減少了整個RO和EDI系統(tǒng)的用電能源消耗,膜脫氣采用真空技術(shù)或壓縮空氣吹掃技術(shù),比RO的高壓技術(shù)節(jié)能90%以上;
            特別建議:
      (1) 對于采用一級RO+膜脫氣+EDI工藝技術(shù)的系統(tǒng),對于一級RO部分的膜,建議優(yōu)先采用高脫鹽率、抗污染及性能恢復(fù)性強的RO膜。
      (2) 膜脫氣技術(shù)在國內(nèi)的成功應(yīng)用有20年以上的歷史,國內(nèi)最大的脫氣膜系統(tǒng)為1300m3/h。

      4.0  EDI技術(shù)應(yīng)用工藝類型      
             
           根據(jù)原水水質(zhì)條件、產(chǎn)水水質(zhì)要求、工程投資合理性,在此對各應(yīng)用工藝進行簡單的分析與比較,具體如下:

      一.UF+RO+加堿+RO+EDI(二級RO工藝)

       

       

       


      工藝特點:

       二級RO:通過二級RO技術(shù)同時解決EDI的負(fù)荷指標(biāo)和結(jié)垢污染類指標(biāo);
      加  堿:通過在第二級RO進水前加堿,將CO2轉(zhuǎn)變成HCO3-離子,然后通過RO去除;

      適用范圍:
      原水進水負(fù)荷高,尤其是電導(dǎo)率、堿度、硬度、硅中的一項或幾項指標(biāo)很高;原水進水負(fù)荷變化大,時高時低,不利于EDI運行的條件,如:苦咸水、循環(huán)水排污水利用、海水倒灌等高含鹽量的水,一級RO產(chǎn)水的TDS不能滿足EDI要求條件;
      產(chǎn)水品質(zhì)要求高:電阻率≥16MΩ.CM,SiO2<20µg/L。         

      二.UF+SF+加堿+RO+EDI(一級RO工藝)
       

       

       

      工藝特點:
      軟化:通過軟化工藝解決EDI的進水硬度條件;
      加堿:軟化后,由于RO硬度的大大降低,可以通過在一級RO進水前加堿,將CO2轉(zhuǎn)變成HCO3-離子,然后通過RO去除;

      適用范圍:
      原水進水負(fù)荷低,尤其是電導(dǎo)率、堿度、硬度、硅的指標(biāo)都不高的情況;
      原水進水負(fù)荷變化不大,有利于EDI運行的條件;
               產(chǎn)水品質(zhì)要求高:電阻率≥16MΩ.CM,SiO2<20µg/L。


      三.UF+RO+DGS+SF+EDI
       

       


      工藝特點:

                   軟化:通過軟化工藝解決EDI的進水硬度條件;
                   脫氣:主要是通過鼓風(fēng)脫氣或者膜脫氣工藝將EDI進水中的CO2降低到較低的水平,鼓風(fēng)脫氣的效果能將CO2降低到4~6ppm的水平,在其它負(fù)荷低的情況下,可以滿足EDI對于進水的需求,膜脫氣工藝比鼓風(fēng)脫氣能夠取得更好的效果。膜脫氣可以將CO2降到2ppm以下,最好的效果可以降到ppb等級,在其它負(fù)荷較高的情況下,建議優(yōu)先采用膜脫氣工藝。采用膜脫氣工藝后,由于CO2的含量很低,因此,即使進水的硬度有一些超過了進水要求,EDI仍然可以安全運行。

      適用范圍:

      原水進水負(fù)荷一般,堿度較高、硬度太高、硅不是很高;
      產(chǎn)水品質(zhì)要求高:電阻率≥16MΩ.CM,SiO2<20µg/L。

      注意事項:

      軟化器選用的樹脂品質(zhì)要求高,樹脂的再生劑(鹽)的純度等級要高,最少食品級;

      四.UF+RO+DGS+EDI
       

      工藝特點:     
      脫氣:主要是通過鼓風(fēng)脫氣或者膜脫氣工藝將EDI進水中的CO2降低到較低的水平,鼓風(fēng)脫氣的效果能將CO2降低到4~6ppm的水平,在其它負(fù)荷低的情況下,可以滿足EDI對于進水的需求,膜脫氣工藝比鼓風(fēng)脫氣能夠取得更好的效果。膜脫氣可以將CO2降到2ppm以下,最好的效果可以降到ppb等級,在其它負(fù)荷較高的情況下,建議優(yōu)先采用膜脫氣工藝。采用膜脫氣工藝后,由于CO2的含量很低,因此,即使進水的硬度有一些超過了進水要求,EDI仍然可以安全運行。
      適用范圍:
      原水進水負(fù)荷低,堿度無要求、硬度較低、硅不是很高;
       產(chǎn)水品質(zhì)要求高:電阻率≥16MΩ.CM,SiO2<20µg/L。

      五.UF+RO+EDI

       

      工藝特點:
       一級RO:通過一級RO技術(shù)同時解決EDI的負(fù)荷指標(biāo)和結(jié)垢污染類指標(biāo);在滿足RO不結(jié)垢的前提下,可以根據(jù)需要在RO進水前加入一定量的堿,從而進一步減少CO2對于EDI的影響,當(dāng)然,如果進水的堿度本身很低,也可以不需要設(shè)計加堿系統(tǒng)。     
      適用范圍:
      原水進水負(fù)荷很低,尤其是電導(dǎo)率、堿度、硬度、硅中的幾項指標(biāo)都很低;
      原水進水負(fù)荷變化不大,有利于EDI運行的條件;
      產(chǎn)水品質(zhì)要求高:電阻率≥16MΩ.CM,SiO2<20µg/L;
      注意事項:
      根據(jù)進水負(fù)荷的變化,產(chǎn)水電阻率可能有少量的波動。

      六. EDI特殊工藝
      前處理系統(tǒng)+EDI

      前處理系統(tǒng)反滲透的產(chǎn)水直接進入EDI設(shè)備,不需要中間水箱、水、保安過濾器及其配套系統(tǒng),通過反滲透高壓的一次增壓,運用反滲透產(chǎn)水的壓力直接進入EDI,或者在RO和EDI 之間增加道式增壓,減少了設(shè)備初期投資、減少了運行費用、減少了二次污染的環(huán)節(jié)。
      舉例:一級RO工藝系統(tǒng)
       

      說明:
             UF:超濾系統(tǒng)                  EDI:電去離子技術(shù)        SF:軟化器
             RO:反滲透系統(tǒng)             DGS:膜脫氣系統(tǒng)   

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